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經(jīng)典突觸的傳遞過(guò)程-公衛(wèi)執(zhí)業(yè)醫(yī)師輔導(dǎo)

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公衛(wèi)執(zhí)業(yè)醫(yī)師考試中的科目繁多,醫(yī)學(xué)教育網(wǎng)小編整理了考試中的部分內(nèi)容,希望對(duì)參加考試的考生有所幫助。

(一)突觸傳遞過(guò)程

突觸由突觸前膜、突觸間隙和突觸后膜三部分組成。當(dāng)神經(jīng)沖動(dòng)抵達(dá)軸突末梢時(shí),突觸前膜發(fā)生去極化,導(dǎo)致電壓門控Ca 2+通道開放,Ca2+進(jìn)入突觸前末梢內(nèi),促使一定數(shù)量的小泡與突觸前膜接觸融合,然后小泡與突觸前膜粘合處出現(xiàn)破裂口,小泡內(nèi)遞質(zhì)和其他內(nèi)容物釋放到突觸間隙,進(jìn)入突觸間隙的神經(jīng)遞質(zhì)作用于突觸后膜上的特異性受體或化學(xué)門控通道,產(chǎn)生突觸后電位。根據(jù)突觸后膜發(fā)生去極化或超極化,可將突觸后電位分為興奮性和抑制性突觸后電位兩種。

(二)興奮性突觸后電位

突觸后膜在遞質(zhì)作用下發(fā)生去極化,使該突觸后神經(jīng)元的興奮性升高,這種電位變化稱為興奮性突觸后電位(EPSP)。EPSP的形成機(jī)制是興奮性遞質(zhì)作用于突觸后膜的相應(yīng)受體,使配體門控通道開放,因此,后膜對(duì)Na +和K+的通透性增大。由于Na+的內(nèi)流大于K+的外流,導(dǎo)致細(xì)胞膜的局部去極化。

(三)抑制性突觸后電位

突觸后膜在遞質(zhì)作用下發(fā)生超極化,使該突觸后神經(jīng)元的興奮下降,這種電位變化稱為抑制性突觸后電位(IPSP)。其產(chǎn)生機(jī)制為抑制性遞質(zhì)作用于突觸后膜,使后膜上的配體門控Cl -通道開放,引起Cl-內(nèi)流,突觸后膜發(fā)生超極化。此外,IPSP的形成還可能與突觸后膜K+通道的開放或Na+、Ca2+通道的關(guān)閉有關(guān)。

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